25. 如圖14所示.正方形區(qū)域abcd的邊長(zhǎng)L=8cm.內(nèi)有方向沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場(chǎng).場(chǎng)強(qiáng)E=3750V/m.一帶電量q=+10-10C.質(zhì)量m=10-20kg的微粒.以初速度v0=2×106m/s沿電場(chǎng)中心線FO射入電場(chǎng).微粒經(jīng)過(guò)邊界cd飛出電場(chǎng).后又進(jìn)入垂直于紙面向內(nèi)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域(分布在坐標(biāo)系第IV象限.足夠大).開(kāi)始做勻速圓周運(yùn)動(dòng).已知cd到y(tǒng)軸的距離為12cm.不計(jì)微粒重力.試求:(1)帶電微粒在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的速率,(2)帶電微粒在第一次到達(dá)y軸上時(shí)與O點(diǎn)的距離,(3)微粒經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)打在x軸正方向上的某一點(diǎn)P.P到坐標(biāo)原點(diǎn)O的距離也為12cm.求磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖14所示,在光滑絕緣的水平面上有一個(gè)用一根均勻?qū)w圍成的正方形線框abcd,其邊長(zhǎng)為L(zhǎng),總電阻為R,放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的左邊,圖中虛線MN為磁場(chǎng)的左邊界.線框在大小為F的恒力作用下向右運(yùn)動(dòng),其中ab邊保持與MN平行.當(dāng)線框以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域時(shí),它恰好做勻速運(yùn)動(dòng).在線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,求:
(1)線框的ab邊產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大。
(2)求線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差;
(3)求線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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14分)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力)。

(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置。

(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求所有釋放點(diǎn)的位置。

(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)L/nn≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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14分)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力)。

(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置。

(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求所有釋放點(diǎn)的位置。

(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)L/nn≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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物理參考答案

選擇題:

14D  15AD  16.AC  17AC  18C   19A  20  B  21 A

22、[1] 措施是在白紙上另畫(huà)一條與y軸正方向的夾角較小的直線OA,把大頭針P1、P2豎直地插在所畫(huà)的直線上,直到在y<0的區(qū)域內(nèi)透過(guò)玻璃磚能看到P1、P2的像。

方法是插上P3后,P3剛好能擋住P1、P2的像;

折射率(每空2分)

[2](1)R斷路(3分) 

(2)1.55V±0.05V(3分) 

0.8Ω±0.2Ω(3分)      圖形3分

23.(1)m1對(duì)斜面的壓力大小為N=(

斜面體靜止,水平方向合力為零,則地面給斜面體的摩擦力

            方向水平向左

(2)對(duì)進(jìn)行分析,因相對(duì)斜面靜止,故

應(yīng)用牛頓第二定律得          得 a=(m+m)gsin/m

再由            得

24、(1)(4分)設(shè)三個(gè)球重力勢(shì)能減少量為△Ep:    △Ep= 9mgL       (4分)                           

(2)(6分)設(shè)兩極板電壓為U ,由動(dòng)能定理      W-W=△Ek      (2分)                             

3mg?3L=0         (2分)

U = 9mgL/2q                                    (2分)

(3)(8分)當(dāng)小球受到的重力與電場(chǎng)力相等時(shí),小球的速度最大vm

      3mg= Unq/3L                                     (2分)

        n=2                                            (2分)

小球達(dá)到最大速度的位置是B球進(jìn)入電場(chǎng)時(shí)的位置由動(dòng)能定理

3mg?L-= ×3mvm2                         (2分)

vm=                                    (2分)

25.(18分)解:

(1)6ec8aac122bd4f6e                    (2分)

6ec8aac122bd4f6e                 (2分)

6ec8aac122bd4f6e                                    (2分)

射出電場(chǎng)后做勻速直線運(yùn)動(dòng),則在磁場(chǎng)中的速度為2.5×106m/s         (2分)

(2)與速度x軸的夾角6ec8aac122bd4f6e

經(jīng)過(guò)電場(chǎng)的偏距6ec8aac122bd4f6e (2分)

6ec8aac122bd4f6e故有6ec8aac122bd4f6e                     (2分)

(3)作出粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)軌跡,如圖

6ec8aac122bd4f6e                                          (3分)

因?yàn)?img src="http://pic.1010jiajiao.com/pic4/docfiles/down/test/down/131132197f10ab538a44c11d44e96a52.zip/73006/河南省羅山高中2009屆高三5月理科綜合測(cè)試(物理).files/image088.gif" alt=6ec8aac122bd4f6e >

解得6ec8aac122bd4f6e                                (2分)

6ec8aac122bd4f6e            (3分)

 

 

 

 

 

 

 

 


同步練習(xí)冊(cè)答案