11.影響物質材料的電阻率的因素很多.一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大.半導體材料的電阻率則與之相反.隨溫度的升高而減少.某學校研究小組需要研究某種導體材料的導電規(guī)律.他們用這種材料制作成電阻較小的元件Z.測量元件Z中的電流隨兩端電壓從零逐漸增大過程中的變化規(guī)律.(1)請為他們設計符合要求的電路圖進行實驗.并畫在方框內.(2)按照正確的電路圖連接下面的實物圖.(3)實驗測得元件Z的電壓與電流的關系如下表所示.根據表中數據.在下圖中畫出元件Z的I―U圖象.并判斷元件Z是金屬材料還是半導體材料?答: ▲ U/V0 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

影響物質材料的電阻率的因素很多,一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而是增大,而半導體材料的電阻率則與之相反.某課題研究組需要研究某種材料的導電規(guī)律,他們取一根粗細均勻該種材料制作成電阻較小的元件Z做實驗,測量元件Z中的電流隨兩端電壓從零逐漸增大過程中的變化規(guī)律
(1)測元件Z的直徑時,螺旋測微器的示數如圖所示,可知元件Z的直徑d=
0.280
0.280
×10-3m.
(2)實驗測得元件Z的電壓與電流的關系如下表所示.根據表中數據,判斷元件Z是金屬材料還是半導體材料?答:
半導體
半導體

U/(V) 0 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.50 1.60
I/(A) 0 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 281 3.20

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影響物質材料的電阻率的因素很多,一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大,半導體材料的電阻率則與之相反,隨溫度的升高而減少.某學校研究小組需要研究某種導體材料的導電規(guī)律,他們用這種材料制作成電阻較小的元件Z,測量元件Z中的電流隨兩端電壓從零逐漸增大過程中的變化規(guī)律.
(1)請為他們設計符合要求的電路圖進行實驗,并畫在方框內.
(2)按照正確的電路圖連接下面的實物圖.
(3)實驗測得元件Z的電壓與電流的關系如下表所示.根據表中數據,在下圖中畫出元件Z的I-U圖象.并判斷元件Z是金屬材料還是半導體材料?答:
半導體材料
半導體材料

U/V 0 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.50
I/A 0 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 2.81

(4)把元件Z接入如圖所示的電路中,當電阻箱R的阻值為Rl=2Ω時,電壓表的讀數為1.00V;當電阻箱R的阻值為R2=3.6Ω時,電壓表的讀數為0.80V.結合上表數據,求出電池的電動勢為
4.0
4.0
V,內阻為
0.40
0.40
Ω(不計電壓表內阻的影響).

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影響物質材料的電阻率的因素很多,一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大,半導體材料的電阻率則與之相反,隨溫度的升高而減。痴n題研究組需要研究某種導體材料的導電規(guī)律,他們用該種導電材料制作成電阻較小的線性元件Z做實驗,測量元件Z中的電流隨兩端電壓從零逐漸增大過程中的變化規(guī)律.
(1)他們應選用下圖所示的哪個電路進行實驗?答:
 
;
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(2)按照正確的電路圖連接實物圖;
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影響物質材料的電阻率的因素很多,一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大,半導體材料的電阻率則與之相反,隨溫度的升高而減少,某學校研究小組需要研究某種導體材料的導電規(guī)律,他們用這種材料制作成電阻較小的元件Z,測量元件Z中的電流隨兩端電壓從零逐漸增大過程中的變化規(guī)律。

(1)請為他們設計符合要求的電路圖進行實驗,并畫在方框內。

(2)按照正確的電路圖連接下面的實物圖。

(3)實驗測得元件Z的電壓與電流的關系如下表所示,根據表中數據,判斷元件Z是金屬材料

U/V

0

0.40

0.60

0.80

1.00

1.20

1.50

I/A

0

0.20

0.45

0.80

1.25

1.80

2.81

還是半導體材料?

答:       。

(4)把元件Z接入如圖所示的電路中,當電阻箱R的阻值為Rl=2時,電壓表的讀數為1.00V;當電阻箱R的阻值為R2=3.6時,電壓表的讀數為0.80V.結合上表數據,求出電池的電動勢為    V,內阻為     (不計電壓表內阻的影響).(結果保留二位有效數字)

 


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影響物質材料的電阻率的因素很多,一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大,半導體材料的電阻率則與之相反,隨溫度的升高而減。痴n題研究組需要研究某種導體材料的導電規(guī)律,他們用該種導電材料制作成電阻較小的線性元件Z做實驗,測量元件Z中的電流隨兩端電壓從零逐漸增大過程中的變化規(guī)律.
(1)他們應選用下圖所示的哪個電路進行實驗?答:______;

(2)按照正確的電路圖連接實物圖;

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一、全題共計15分,每小題3分:                1.D     2.B    3.A    4.C    5.D

二、全題共計16分,每小題4分,漏選的得2分:    6.AD    7.BD    8. ABD     9.BD

三、全題共計42分

10.(8分)⑴20.30    ⑵①S1/2T;② 9.71~9.73  ③阻力作用  (每空2分)

11.(10分)第⑶問4分,其中作圖2分;其余每小問2分.⑶半導體材料、4.0 、  0.40

 

 

        

 

 

 

 

 

12.(12分) ⑴D (3分)   ⑵AC(3分)

⑶這種解法不對.

錯在沒有考慮重力加速度與高度有關(2分)

正確解答:衛(wèi)星繞地球做勻速圓周運動,萬有引力提供向心力,根據牛頓第二定律有

G=mA ③    G=mB ④     由③④式,得 (4分)

13A.(12分) ⑴不變(2分)  50(2分)  ⑵a→b(2分) 增加(2分) ⑶(4分)

13B.(12分) ⑴C(3分 ) ⑵60°(2分) 偏右(2分)  ⑶(2分) 0.25s(3分)

13C.(12分)    ⑴質子 、α 、氮     ⑵ mv2/4      ⑶a 、  5×1013    (每空2分)

四、全題共計47分.解答時請寫出必要的文字說明、方程式和重要的演算步驟.只寫出最后答案的不能得分.有數值計算的題.答案中必須明確寫出數值和單位

14.(15分) 解:⑴A→C過程,由動能定理得: ………… (3分)

△R= R (1-cos37°)………………  (1分) ∴ vc=14m/s ……………………  (1分)

  ⑵在C點,由牛頓第二定律有: ……(2分)

∴ Fc=3936N …………………………………………………………………………( 2分)

    由牛頓第三定律知,運動員在C點時軌道受到的壓力大小為3936N. …………… (1分)

⑶設在空中飛行時間為t,則有:tan37°=  …………………   。 3分)

 ∴t = 2.5s   (t =-0.4s舍去)……………………………………………………( 2分)

 

 

 

15.(16分) 解:⑴垂直AB邊進入磁場,由幾何知識得:粒子離開電場時偏轉角為30°

………(2分)    

………  (1分)     ∴………(2分)

由幾何關系得:    在磁場中運動半徑……(2分)

       ……………………………(2分)

……………(1分 ) 方向垂直紙面向里……………………(1分)

⑶當粒子剛好與BC邊相切時,磁感應強度最小,由幾何知識知粒子的運動半徑r2為:

     ………( 2分 )   ………1分   ∴……… 1分

即:磁感應強度的最小值為………(1分)

16.(16分)

解:⑴據能量守恒,得  △E = mv02 -m()2= mv02-----------(3分)

⑵在底端,設棒上電流為I,加速度為a,由牛頓第二定律,則:

(mgsinθ+BIL)=ma1--------------------------(1分)

由歐姆定律,得I=---------------(1分)    E=BLv0---------------------(1分)

由上述三式,得a1 =  gsinθ + ---------------------(1分)

∵棒到達底端前已經做勻速運動∴mgsinθ= ------------------------------(1分)

代入,得a1 = 5gsinθ-----------------------------------------(2分)

(3)選沿斜面向上為正方向,上升過程中的加速度,上升到最高點的路程為S,

a = -(gsinθ + )-----------------------(1分)

取一極短時間△t,速度微小變化為△v,由△v = a△t,得

△     v = -( gsinθ△t+B2L2v△t/mR)-----------(1分)

其中,v△t = △s--------------------------(1分)

在上升的全過程中

∑△v = -(gsinθ∑△t+B2L2∑△s/mR)

即          0-v0= -(t0gsinθ+B2L2S/mR)-------------(1分)

∵H=S?sinθ       且gsinθ= -------------------(1分)

∴  H =(v02-gv0t0sinθ)/4g-----------------(1分)

 

 

 

 


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