硅單質(zhì)及其化合物應用范圍很廣,請回答下列問題：

（1）       制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學反應方程式　                 　。

②整個制備過程必須嚴格控制無水、無氧。SiHCl₃遇水劇烈反應生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學反應方程式　　　                　         ；H₂還原SiHCl₃過程中若混0₂，可能引起的后果是                                      。

（2）下列有關說法正確的是           （填字母）。

A.碳化硅化學性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B.氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.普通玻璃的成分有純堿、石灰石和石英砂，其熔點很高

D.鹽酸可以與硅反應，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入鹽酸溶液，振蕩,則反應的離子方程式是　 　                                                           。

多晶硅是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的重要原料。

（1）由石英砂可制取粗硅，其相關反應的熱化學方程式如下：

①反應SiO₂（s）+2C（s）=Si（s）+2CO（g）的△H=     kJ·mol^-1（用含a、b的代數(shù)式表示）。

②SiO是反應過程中的中間產(chǎn)物。隔絕空氣時，SiO與NaOH溶液反應（產(chǎn)物之一是硅酸鈉）的化學方程式是           。

（2）粗硅提純常見方法之一是先將粗硅與HCl制得SiHCl₃，經(jīng)提純后再用H₂還原：SiHCl₃（g）+H₂（g）Si（s）+3HCl（g）不同溫度及不同n（H₂）/n（SiHCl₃）時，反應物X的平衡轉(zhuǎn)化率關系如圖；

①X是       （填“H₂”、“SiHCl₃”）。

②上述反應的平衡常數(shù)K（1150℃）     K（950℃）（選填“>”、“<”、“=”）

（3）SiH₄（硅烷）法生產(chǎn)高純多晶硅是非常優(yōu)異的方法。

①用粗硅作原料，熔鹽電解法制取硅烷原理如圖10，電解時陽極的電極反應式為      。

②硅基太陽電池需用N、Si兩種元素組成的化合物Y作鈍化材料，它可由SiH₄與NH₃混合氣體進行氣相沉積得到，已知Y中Si的質(zhì)量分數(shù)為60%，Y的化學式為         。

多晶硅是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的重要原料。

（1）由石英砂可制取粗硅，其相關反應的熱化學方程式如下：

①反應SiO₂（s）+2C（s）=Si（s）+2CO（g）的△H=     kJ·mol^-1（用含a、b的代數(shù)式表示）。

②SiO是反應過程中的中間產(chǎn)物。隔絕空氣時，SiO與NaOH溶液反應（產(chǎn)物之一是硅酸鈉）的化學方程式是           。

（2）粗硅提純常見方法之一是先將粗硅與HCl制得SiHCl₃，經(jīng)提純后再用H₂還原：SiHCl₃（g）+H₂（g）Si（s）+3HCl（g）不同溫度及不同n（H₂）/n（SiHCl₃）時，反應物X的平衡轉(zhuǎn)化率關系如圖；

①X是       （填“H₂”、“SiHCl₃”）。

②上述反應的平衡常數(shù)K（1150℃）     K（950℃）（選填“>”、“<”、“=”）

（3）SiH₄（硅烷）法生產(chǎn)高純多晶硅是非常優(yōu)異的方法。

①用粗硅作原料，熔鹽電解法制取硅烷原理如圖10，電解時陽極的電極反應式為      。

②硅基太陽電池需用N、Si兩種元素組成的化合物Y作鈍化材料，它可由SiH₄與NH₃混合氣體進行氣相沉積得到，已知Y中Si的質(zhì)量分數(shù)為60%，Y的化學式為         。