4．“自主創(chuàng)新 是我國十一發(fā)展規(guī)劃中提出的重大國策.經(jīng)我國科學(xué)家的努力.已研制出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)芯片――“龍芯一號(hào) 和“龍芯二號(hào) .其芯片的核心部件是以高純硅單質(zhì)為原料制成的.用化學(xué)方法制備高純硅的反應(yīng)原理:.該反應(yīng)屬于A．化合反應(yīng) B．置換反應(yīng) C．分解反應(yīng) D．復(fù)分解反應(yīng) 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

“自主創(chuàng)新”是我國十一發(fā)展規(guī)劃中提出的重大國策．經(jīng)我國科學(xué)家的努力，已研制出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)芯片－“龍芯一號(hào)”和“龍芯二號(hào)”，其芯片的核心部件是以高純硅單質(zhì)為原料制成的，用化學(xué)方法制備高純硅的反應(yīng)原理是：SiCl4＋2H2Si＋4HCl，該反應(yīng)屬于

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A．化合反應(yīng)

B．置換反應(yīng)

C．分解反應(yīng)

D．復(fù)分解反應(yīng)

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自主創(chuàng)新是我國“十一五”發(fā)展規(guī)劃中提出的重大國策．經(jīng)我國科學(xué)家的努力，已研制出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)芯片，其核心部件是由硅單質(zhì)為原料制成的，用化學(xué)方法制備高純硅的反應(yīng)原理是：
SiCl4+2H2
加熱
Si+4HCl，該反應(yīng)屬于（　�。�
A、化合反應(yīng)B、置換反應(yīng)
C、分解反應(yīng)D、復(fù)分解反應(yīng)

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自主創(chuàng)新是我國“十一五”發(fā)展規(guī)劃中提出的重大國策．經(jīng)我國科學(xué)家的努力，已研制出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)芯片，其核心部件是由硅單質(zhì)為原料制成的，用化學(xué)方法制備高純硅的反應(yīng)原理是：
SiCl4+2H2Si+4HCl，該反應(yīng)屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．置換反應(yīng)
C．分解反應(yīng)
D．復(fù)分解反應(yīng)

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自主創(chuàng)新是我國“十一五”發(fā)展規(guī)劃中提出的重大國策．經(jīng)我國科學(xué)家的努力，已研制出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)芯片，其核心部件是由硅單質(zhì)為原料制成的，用化學(xué)方法制備高純硅的反應(yīng)原理是：
SiCl4+2H2Si+4HCl，該反應(yīng)屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．置換反應(yīng)
C．分解反應(yīng)
D．復(fù)分解反應(yīng)

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自主創(chuàng)新是我國“十一五”發(fā)展規(guī)劃中提出的重大國策。經(jīng)我國科學(xué)家的努力，已研制出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)芯片，其核心部件是由硅單質(zhì)為原料制成的，用化學(xué)方法制備高純硅的反應(yīng)原理是：SiCl4 + 2H2Si + 4HCl，該反應(yīng)屬于（    ）
A．化合反應(yīng)B．置換反應(yīng)C．分解反應(yīng)D．復(fù)分解反應(yīng)

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