如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到與PQ重合時，線框的速度為
v
2
，則（　�。�
A．此時線框中的電功率為
4B2a2v2 
R
B．此時線框的加速度為
4B2a2v 
mR
C．此過程通過線框截面的電量為
Ba2
R
D．此過程回路產(chǎn)生的電能為0.75mv2
魔方格
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到與PQ重合時，線框的速度為
v
2
，此時線框中的電功率為
(Bav)2
R
(Bav)2
R
，此過程回路產(chǎn)生的焦耳熱為
0.375mv2
0.375mv2
．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到與PQ重合時，線框的速度為
v
2
，則（　　）

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科目：高中物理 來源：2015屆河北省高二上學(xué)期期中考試物理試卷（解析版） 題型：填空題

如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大。一個邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到與PQ重合時，線框的速度為，此時線框中的電功率為________，此過程回路產(chǎn)生的焦耳熱為________。

 

 

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科目：高中物理 來源：2012－2013學(xué)年江西省吉安市高二下學(xué)期期末考試物理試卷（解析版） 題型：填空題

如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大。一個邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到與PQ重合時，線框的速度為，此時線框中的電功率為________，此過程回路產(chǎn)生的焦耳熱為________。

 

 

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科目：高中物理 來源： 題型：單選題

如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大。一個邊長為a ，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到PQ重合時，線框的速度為v/2，則

A．此時線框中的電功率為
B．此時線框的加速度為
C．此過程通過線框截面的電量為
D．此過程回路產(chǎn)生的電能為

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科目：高中物理 來源： 題型：填空題

如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大。一個邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到與PQ重合時，線框的速度為，此時線框中的電功率為________，此過程回路產(chǎn)生的焦耳熱為________。

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科目：高中物理 來源： 題型：填空題

如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大。一個邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到與PQ重合時，線框的速度為，此時線框中的電功率為________，此過程回路產(chǎn)生的焦耳熱為________。

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到與PQ重合時，線框的速度為
v
2
，則（　�。�
A．此時線框中的電功率為
4B2a2v2 
R
B．此時線框的加速度為
4B2a2v 
mR
C．此過程通過線框截面的電量為
Ba2
R
D．此過程回路產(chǎn)生的電能為0.75mv2
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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B，方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大。一個邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到與PQ重合時，線框的速度為，則

A.此時線框中的電功率為4B2a2v2/R

B.此時線框的加速度為4B2a2v/(mR)

C.此過程通過線框截面的電量為Ba2/R

D.此過程回路產(chǎn)生的電能為0.75mv2

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年吉林省長春十一中高二（上）期中物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，在光滑水平面上方，有兩個磁感應(yīng)強度大小均為B、方向相反的水平勻強磁場，如圖所示，PQ為兩個磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個邊長為a，質(zhì)量為m，電阻為R的正方形金屬線框垂直磁場方向，以速度v從圖示位置向右運動，當(dāng)線框中心線AB運動到與PQ重合時，線框的速度為，則（ ）
A．此時線框中的電功率為
B．此時線框的加速度為
C．此過程通過線框截面的電量為
D．此過程回路產(chǎn)生的電能為0.75mv2

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