科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，一點(diǎn)電荷+Q固定在圓心處，另一點(diǎn)電荷+q從P點(diǎn)分別沿圖中的兩條虛線路徑移到A點(diǎn)和B點(diǎn)，比較+q從P點(diǎn)移到A電場(chǎng)力做的功W_A和+q從P點(diǎn)移到B電場(chǎng)力做的功W_B的大�。ā　。�

A．W_A=W_B

B．W_A＞W(wǎng)_B

C．W_A＜W_B

D．無法比較

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科目：高中物理 來源：2015屆福建省等五校高二上學(xué)期期中聯(lián)考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，一點(diǎn)電荷+Q固定在圓心處，另一點(diǎn)電荷+q從P點(diǎn)分別沿圖中的兩條虛線路徑移到A點(diǎn)和B點(diǎn)，比較+q從P點(diǎn)移到A電場(chǎng)力做的功W_A和+q從P點(diǎn)移到B電場(chǎng)力做的功W_B的大�。ā　。�

A．WA=WB

B．WA＞W(wǎng)B

C．WA＜WB

D．無法比較

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，一點(diǎn)電荷+Q固定在圓心處，另一點(diǎn)電荷+q從P點(diǎn)分別沿圖中的兩條虛線路徑移到A點(diǎn)和B點(diǎn)，比較+q從P點(diǎn)移到A電場(chǎng)力做的功W_A和+q從P點(diǎn)移到B電場(chǎng)力做的功W_B的大�。ā　。�

A．WA=WB

B．WA＞W(wǎng)B

C．WA＜WB

D．無法比較

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科目：高中物理 來源：2010-2011學(xué)年福建省福州高級(jí)中學(xué)高二（上）期末物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，一點(diǎn)電荷+Q固定在圓心處，另一點(diǎn)電荷+q從P點(diǎn)分別沿圖中的兩條虛線路徑移到A點(diǎn)和B點(diǎn)，比較+q從P點(diǎn)移到A電場(chǎng)力做的功W_A和+q從P點(diǎn)移到B電場(chǎng)力做的功W_B的大小（ ）

A．W_A=W_B
B．W_A＞W(wǎng)_B
C．W_A＜W_B
D．無法比較

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，一點(diǎn)電荷+Q固定在圓心處，另一點(diǎn)電荷+q從P點(diǎn)分別沿圖中的兩條不同路徑先后移到A點(diǎn)和B點(diǎn)，比較+q從P點(diǎn)移到A電場(chǎng)力做的功W_A和+q從P點(diǎn)移到B電場(chǎng)力做的功W_B的大�。�   ）

A．WA=WB

B．WA>WB

C．WA<WB

D．無法比較

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科目：高中物理 來源： 題型：

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

如圖所示，正點(diǎn)電荷Q固定在O點(diǎn)。在過O點(diǎn)的豎直平面內(nèi)有一個(gè)質(zhì)量為m，電量為q的質(zhì)點(diǎn)從A點(diǎn)由靜止釋放。實(shí)線是該質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)軌跡。虛線是以O為圓心，以R為半徑的圓。軌跡與圓交于B、C兩點(diǎn)。已知O、C兩點(diǎn)在同水平線上，且∠COB=30°若該質(zhì)點(diǎn)在C點(diǎn)的速度大小為v，求它在B點(diǎn)的速度大小。

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，一帶正電的粒子電量為q，質(zhì)量為m，經(jīng)過大小為U₁的水平電場(chǎng)加速后，從中點(diǎn)垂直進(jìn)入兩平行金屬板A、B之間的電場(chǎng)中，A、B板長(zhǎng)L，兩板間距離為d，A板比B板電勢(shì)高U₂，粒子飛出平行板電場(chǎng)后經(jīng)過界面MN，進(jìn)入固定在AB板水平中心線上某O點(diǎn)的點(diǎn)電荷形成的電場(chǎng)區(qū)域，此點(diǎn)電荷到MN界面有一定的距離（設(shè)界面MN左右兩側(cè)電場(chǎng)分布互不影響，各自獨(dú)立），粒子穿過界面MN后，做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，垂直打在放置于中心線上的熒光屏bc上．（粒子重力不計(jì)）求：
（1）加速后的速度？
（2）求粒子穿過界面MN時(shí)的速度和偏離中心線的距離？
（3）帶電粒子從進(jìn)入A、B電場(chǎng)到打到屏幕bc上的距離．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，一個(gè)半徑為R的圓盤上均勻分布著電荷量為Q的電荷，在垂直于盤面且過圓心c的軸線上有a、b、d三點(diǎn)，且a和b、b和c、c和d間的距離均為R，在a點(diǎn)處有一電荷量為q（q＞0）的固定電荷．已知b點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)為零，則圓盤上的電荷Q在b點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)大小和d點(diǎn)處的總場(chǎng)強(qiáng)大小分別為（k為靜電力恒量）（　　）

A、 kQ R2 ， 5kq R2

B、 kQ R2 ， 10kq 9R2

C、 5kq R2 ， k(Q+q) R2

D、 kQ R2 ， k(9Q+q) 9R2

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