分析 X元素原子的4p軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子,則可以知道X元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3,為As;Y元素原子的最外層2p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子,則元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式為1s22s22p4,為O;X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42,X原子序數(shù)為33,Y為8,則Z為H原子;氫化物費(fèi)點(diǎn)高低看有沒有形成分子間氫鍵,再看相對(duì)分子質(zhì)量;X與Z可形成化合物AsH3,以此解答該題.
解答 解:X元素原子的4p軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子,則可以知道X元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3,為As;Y元素原子的最外層2p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子,則元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式為1s22s22p4,為O;X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42,X原子序數(shù)為33,Y為8,則Z為H原子,X與Z可形成化合物AsH3,該化合物的空間構(gòu)型和氨氣相似,
(1)Y為氧元素,原子的價(jià)層電子的軌道表示式為,
故答案為:;O;
(2)由以上分析可知X為As,電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3,
故答案為:1s22s22p63s23p63d104s24p3;As;
(3)Y為O元素,有兩個(gè)電子層,最外層電子所在能層符號(hào)為L,該能層有s、p能級(jí),s上有1個(gè)軌道,p上有3個(gè)軌道,
故答案為:L;4;
(4)X為砷元素,氫化物為AsH3,同族第二、第三周期元素所形成的氫化物為NH3、PH3,能形成分子間氫鍵,沸點(diǎn)反常的高,其余相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),沸點(diǎn)越高,氨氣沸點(diǎn)最高,其次為AsH3,PH3沸點(diǎn)最低,
故答案為:NH3>AsH3>PH3;NH3形成分子間氫鍵,沸點(diǎn)最高,AsH3相對(duì)分子質(zhì)量比PH3大,分子間作用力大,AsH3比PH3沸點(diǎn)高;
(5)已知化合物As2O3在稀硫酸溶液中可被金屬鋅還原為AsH3,產(chǎn)物還有ZnSO4和H2O,則反應(yīng)方程式為:As2O3+6Zn+6H2SO4═2AsH3↑+6ZnSO4+3H2O,
故答案為:As2O3+6Zn+6H2SO4═2AsH3↑+6ZnSO4+3H2O.
點(diǎn)評(píng) 本題考查學(xué)生原子的組成和結(jié)構(gòu)知識(shí)以及元素周期表和元素周期律的應(yīng)用知識(shí),注意把握原子核外電子的排布規(guī)律,題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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A. | B. | ||||
C. | D. |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 與氫氧化鈉反應(yīng)的氯氣一定為0.16 mol | |
B. | n(Na+):n(Cl-)可能為7:3 | |
C. | 若反應(yīng)中轉(zhuǎn)移的電子為n mol,則0.15<n<0.25 | |
D. | n(NaCl):n(NaClO):n(NaClO3)可能為11:2:1 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 0.10mol H2O含有含有原子數(shù)為0.3NA | |
B. | 1molCu和足量熱濃硫酸反應(yīng)可生成NA個(gè)SO3分子 | |
C. | 0.10mol•L-1Na2CO3溶液中含有Na+0.2NA | |
D. | 14g CO和N2的混合氣體中含有的分子數(shù)為NA |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 單質(zhì)鐵與水蒸氣的反應(yīng) | B. | 鋁片與氫氧化鈉溶液的反應(yīng) | ||
C. | 過氧化鈉與二氧化碳的反應(yīng) | D. | 碳酸鈉溶液與稀鹽酸的反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 制備的晶體硅可用于制作計(jì)算機(jī)芯片 | |
B. | 該法制備高純硅,可以綜合利用氯氣和氫氣,使原料循環(huán)利用,生產(chǎn)成本低,效率高 | |
C. | 該過程是把硅轉(zhuǎn)化為SiHCl3與雜質(zhì)分離,而后用氫氣還原得到高純硅 | |
D. | 整個(gè)制備過程中若混有氧氣可以不除去 |
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