20.(CN)2、(OCN)2、(SCN)2 等被稱為擬鹵素,可分別由CN-、OCN-、SCN-等氧化得到.
回答下列問題:
(1)N、O、S 的第一電離能由大到小的順序?yàn)镹>O>S.
(2)寫出兩種結(jié)構(gòu)與OCN-相似的三原子分子CO2、N2O、CS2等(填分子式).
(3)Fe4[Fe(CN)6]3是較早發(fā)現(xiàn)的CN-配合物,其中鐵元素呈現(xiàn)兩種不同的價(jià)態(tài).配離子的中心原子核外電子排布式為[Ar]3d6(或1s22s22p63s23p63d6).
(4)(CN)2 在一定條件下氫化可以得到乙二胺(H2NCH2CH2NH2).
①(CN)2的空間構(gòu)型為直線形,其中C 原子的軌道雜化方式為sp雜化;1mol (CN)2中含有π 鍵的數(shù)目為2.408×1024(或4NA).
②乙二胺(H2NCH2CH2NH2)和三甲胺[(CH33N]中沸點(diǎn)較高的是:乙二胺,判斷的依據(jù)是:乙二胺分子間形成氫鍵,三甲胺分子中N原子上無氫,無法形成氫鍵.
(5)CN-配合物用于黃金冶煉.金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示.
晶體中每個(gè)Au 原子周圍緊鄰等距的Au 原子有12個(gè);晶胞中Au 原子的體積占晶胞體積的百分率為74%.(計(jì)算結(jié)果保留2 位有效數(shù)字)

分析 (1)同一周期,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,但第VA族元素大于第VIA族元素,同一主族,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而減;
(2)原子個(gè)數(shù)相等且價(jià)電子數(shù)相等的分子或離子為等電子體,等電子體結(jié)構(gòu)相似;
(3)配合物中心離子為Fe2+,根據(jù)其核外電子數(shù),寫出核外電子排布式;
(4)①根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷該分子空間構(gòu)型,其中C 原子價(jià)層電子對為2,據(jù)此判斷軌道雜化方式,共價(jià)單鍵為σ鍵,共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ鍵一個(gè)是π鍵,共價(jià)三鍵中一個(gè)是σ鍵兩個(gè)是π鍵;
②氫鍵影響物質(zhì)的溶沸點(diǎn),乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)分子之間可以形成氫鍵,但三甲胺[N(CH33]分子之間不能形成氫鍵;
(5)Au位于立方體的頂點(diǎn)和面心上,以頂點(diǎn)上的Au為例,與它距離最近的Au分布在與該頂點(diǎn)相連的12個(gè)面的面心上,在晶胞結(jié)構(gòu)中,晶胞的面對角線等于Au原子半徑的4倍,空間利用率=$\frac{所有Au原子體積}{晶胞體積}$×100%,據(jù)此計(jì)算晶胞中Au 原子的體積占晶胞體積的百分率.

解答 解:(1)同一周期,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,但第VA族元素大于第VIA族元素,同一主族,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而減小,所以第一電離能大小順序是:N>O>S,
故答案為:N>O>S;
(2)等電子體結(jié)構(gòu)相似,OCN-含有3個(gè)原子,價(jià)電子總數(shù)為6+4+5+1=16,故其等電子體為CO2、N2O、CS2等,它們結(jié)構(gòu)與OCN-相似,
故答案為:CO2、N2O、CS2等;
(3)配合物中心離子為Fe2+,核外電子數(shù)為24,其價(jià)電子排布式為:3d6,內(nèi)部電子排布式與Ar核外電子排布式完全一樣,故其離子排布式為:[Ar]3d6(或1s22s22p63s23p63d6),
故答案為:[Ar]3d6(或1s22s22p63s23p63d6);
(4)①該分子的結(jié)構(gòu)式為N≡C-C≡N,其中C 原子價(jià)層電子對為2,C 原子的軌道雜化方式為sp雜化,空間構(gòu)型為直線形,該分子中含有3個(gè)σ鍵4個(gè)π鍵,1mol (CN)2中含有π 鍵的數(shù)目為2.408×1024(或4NA),
故答案為:直線形;sp雜化;2.408×1024(或4NA);
②分子之間可以形成氫鍵使物質(zhì)的溶沸點(diǎn)升高,乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)分子之間可以形成氫鍵,三甲胺[N(CH33]分子中N原子上無氫,分子之間不能形成氫鍵,故乙二胺的沸點(diǎn)較高,
故答案為:乙二胺;乙二胺分子間形成氫鍵.三甲胺分子中N原子上無氫,無法形成氫鍵;
(5)Au位于立方體的頂點(diǎn)和面心上,以頂點(diǎn)上的Au為例,與它距離最近的Au分布在與該頂點(diǎn)相連的12個(gè)面的面心上,Au原子半徑為d,對角線上三個(gè)Au原子相鄰,對角線長度=4d,則晶胞棱長=$\sqrt{\frac{(4d)^{2}}{2}}$=2$\sqrt{2}$d,晶胞體積=(2$\sqrt{2}$d)3,該晶胞中Au原子個(gè)數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,晶胞密度=$\frac{m}{V}$=$\frac{\frac{M}{{N}_{A}}×4}{(2\sqrt{2}d)^{3}}$g/cm3=$\frac{\sqrt{2}M}{8{N}_{A}jplpvko^{3}}$g/cm3;每個(gè)Au原子體積=$\frac{4}{3}$πd3,該晶胞中含有4個(gè)Au原子,所以晶胞中所有Au原子體積=4×$\frac{4}{3}$πd3,空間利用率=$\frac{所有Au原子體積}{晶胞體積}$×100%=$\frac{4×\frac{4}{3}×π×hrfcpbv^{3}}{(2\sqrt{2}d)^{3}}$=74%,
故答案為:12; 74%.

點(diǎn)評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有關(guān)知識,涉及第一電離能的判斷、等電子體的性質(zhì),核外電子排布式的書寫,側(cè)重于考查晶胞結(jié)構(gòu)的分析和計(jì)算,注意同一周期中第一電離能的變化趨勢及異,F(xiàn)象,為易錯(cuò)點(diǎn),注意利用均攤法計(jì)算晶胞中各種原子個(gè)數(shù),題目難度中等.

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(3)步驟②、③、④中,均需用到的操作是過濾(填操作名稱).
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(5)上述工藝流程中可以循環(huán)利用的物質(zhì)是H2SO4或硫酸.
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