Question

3．A、B、C、D、E屬于短周期元素，且原子序數(shù)依次增大，已知A 與E同主族，B、C、D、E同周期，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，在甲中A、B 離子的電子層結構相同；C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，高純度的D單質可制造芯片；又知 C、D的單質都能與強堿溶液反應．
（1）寫出：AODSi（元素符號），乙Na₂O（化學式）
（2）E元素在周期表中的位置是第三周期，第VIA族．
（3）畫出B的原子結構示意圖；
（4）D的氧化物與NaOH溶液反應的化學方程式SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O；
（5）舉出C單質在工業(yè)上的一種重要用途（必須用化學方程式表示）2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe．

Answer 1

分析 A、B、C、D、E屬于短周期元素，且原子序數(shù)依次增大，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，在甲中A、B 離子的電子層結構相同，則A為O元素、B為Na，A 與E同主族，B、C、D、E同周期，則E為S元素，C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，高純度的D單質可制造芯片，C、D的單質都能與強堿溶液反應，可推知C為Al、D為Si，據(jù)此解答．

解答 解：A、B、C、D、E屬于短周期元素，且原子序數(shù)依次增大，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，在甲中A、B 離子的電子層結構相同，則A為O元素、B為Na，甲為Na₂O₂、乙為Na₂O，A 與E同主族，B、C、D、E同周期，則E為S元素，C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，高純度的D單質可制造芯片，C、D的單質都能與強堿溶液反應，可推知C為Al、D為Si．
（1）A為O元素，D為Si，乙為Na₂O，故答案為：O；Si；Na₂O；
（2）E為S元素，在周期表中的位置是第三周期，第VIA族，故答案為：三；VIA；
（3）B為Na元素，原子結構示意圖為，故答案為：；
（4）D的氧化物為SiO₂，與NaOH溶液反應的化學方程式：SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O，故答案為：SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O；
（5）Al單質在工業(yè)上的一種重要用途：焊接鋼軌等，反應方程式為：2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe，故答案為：2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe．

點評 本題考查結構性質位置關系應用，推斷元素是解題關鍵，旨在考查學生對基礎知識的鞏固．