A. | $\frac{8M}{{N}_{A}•{a}^{3}}$g.cm-3 | B. | $\frac{M{a}^{3}}{8{N}_{A}}$gcm-3 | C. | $\frac{M}{{N}_{A}•{a}^{3}}$g.cm-3 | D. | $\frac{Ma}{{N}_{A}}$g.cm |
分析 晶體中2個(gè)最近的Cs+核間距為acm,相鄰頂點(diǎn)上Cs+核間距離最近,為acm,即晶胞的棱長(zhǎng)為acm,體積V=a3cm3,該晶胞中Cs+個(gè)數(shù)=8×$\frac{1}{8}$=1,Cl-個(gè)數(shù)為1,根據(jù)晶胞密度公式ρ=$\frac{m}{V}$計(jì)算氯化銫密度.
解答 解:氯離子位于頂點(diǎn),晶胞中數(shù)目為8×$\frac{1}{8}$=1,銫離子位于體心,數(shù)目為1,即一個(gè)晶胞中含有一個(gè)氯離子和一個(gè)銫離子,則一個(gè)晶胞質(zhì)量為 $\frac{M}{N{\;}_{A}}$g,2個(gè)最近的Cs+離子核間距為acm,即晶胞邊長(zhǎng)為acm,則晶胞體積為a3cm3,則密度為 $\frac{M}{{N}_{A}•{a}^{3}}$g•cm-3,
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查晶胞密度計(jì)算,難度不大,應(yīng)準(zhǔn)確計(jì)算出晶胞所含微粒數(shù)目.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 同族元素,隨著電子層的增加,I1逐漸增大 | |
B. | 通常情況下,電離能I1<I2<I3 | |
C. | 同周期元素,隨著核電荷數(shù)的增加,I1呈增大趨勢(shì) | |
D. | 電離能越小,元素的金屬性越強(qiáng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:多選題
A. | EGCG易被氧化 | |
B. | EGCG的分子中有1個(gè)手性碳原子 | |
C. | 1mol EGCG與濃溴水發(fā)生取代反應(yīng)時(shí)最多消耗6molBr2 | |
D. | 1mol EGCG與氫氧化鈉溶液反應(yīng)最多消耗10molNaOH |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 單質(zhì)常用作半導(dǎo)體材料和光導(dǎo)纖 | B. | 在自然界中以化合態(tài)的形式存在 | ||
C. | 最高價(jià)氧化物不與任何酸反應(yīng) | D. | 氣態(tài)氫化物比甲烷穩(wěn)定 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 每生成2mol SO2的同時(shí),消耗2molSO3 | |
B. | 混合氣體的總質(zhì)量不再變化 | |
C. | 每生成2mol SO3的同時(shí),消耗1molSO2 | |
D. | 混合氣體的壓強(qiáng)不再變化 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 僅①②③ | B. | 僅⑦ | C. | 僅④⑤⑥⑦ | D. | 全部 |
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