分析 (1)由產物CO可知,SiO2與C化學計量數(shù)之比為1:2 由產物Si3N4可知SiO2與N2化學計量數(shù)之比為3:4,所以SiO2、C+、N2化學計量數(shù)之比為3:6:4,令SiO2的化學計量數(shù)為3,結合元素守恒可知Si3N4、CO化學計量數(shù)分別為1、6.
(2)反應中只有C元素的化合價升高,氮氣有剩余,根據(jù)CO計算電子轉移,C元素化合價由0價升高為+2價,轉移電子的物質的量為CO的2倍.
(3)反應中N2作氧化劑,C是還原劑,N2將C氧化.
(4)由信息可知,氮化硅機械強度高,硬度大,熱穩(wěn)定性好,化學性質穩(wěn)定,氮化硅屬于原子晶體,不是電的良導體,制備氮化硅的資源豐富,自然界中有大量的氮氣與二氧化硅,具有廣闊的發(fā)展前景.
解答 解:(1)由產物CO可知,SiO2與C化學計量數(shù)之比為1:2 由產物Si3N4可知SiO2與N2化學計量數(shù)之比為3:2,所以SiO2、C、N2化學計量數(shù)之比為3:6:2,令SiO2的化學計量數(shù)為3,C、N2化學計量數(shù)分別為6、2,結合元素守恒可知Si3N4、CO化學計量數(shù)分別為1、6,配平后方程式為3SiO2+6C+2N2 $\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$ Si3N4+6CO.
故答案為:3、6、2、1、6;
(2)反應中只有C元素的化合價升高,氮氣有剩余,根據(jù)CO計算電子轉移,C元素化合價由0價升高為+2價,轉移電子的物質的量為CO的2倍,所以反應中轉移電子數(shù)為5mol×2×NAmol-1=10NA.
故答案為:10;
(3)反應中N2作氧化劑,C是還原劑,N2將C氧化為CO,所以氧化性C<N2,故答案為:<;
(4)A、氮化硅熱穩(wěn)定性好,可以用于熱工設備,故A正確;
B、氮化硅屬于原子晶體,不是電的良導體,故B錯誤;
C、氮化硅機械強度高,硬度大,可以替代同類型金屬發(fā)動機,故C正確;
D、制備氮化硅的資源豐富,具有廣闊的發(fā)展前景,故D錯誤.
故選:AC.
點評 本題考查氧化還原反應配平及計算、氧化性還原性比較、晶體結構與性質等,難度中等,注意掌握化學方程式常用的配平方法.
科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 向氯化亞鐵溶液中加入氫氧化鈉溶液,先有白出現(xiàn),后白色沉淀逐漸消失 | |
B. | 將銅片放人氯化鐵溶液,鋼片表面生成銀白色的鐵 | |
C. | 在氯化鐵溶液中滴入氫氧化鈉溶液,有紅褐色沉淀出現(xiàn) | |
D. | 將銅粉加人冷的濃硝酸中會發(fā)生鈍化 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 通過NaOH溶液后再通過濃硫酸 | B. | 通過CuSO4溶液后再通過石灰水 | ||
C. | 通過P2O5后再通過固體NaOH | D. | 通過堿石灰 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 充電時陰極的電極反應是V3++e-=V2+ | |
B. | 放電時,VO2+作氧化劑,在正極被還原,V2+做還原劑,在負極被被氧化 | |
C. | 若離子交換膜為質子交換膜,充電時當有1mol e-發(fā)生轉移時,左槽電解液的H+的物質的量增加了1mol | |
D. | 若離子交換膜為陰離子交換膜,放電時陰離子由左罐移向右罐 |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
第一份 | 第二份 | 第三份 | |
樣品的質量/g | 12.60 | 18.90 | 28.00 |
二氧化硫的體積/L | 1.12 | 1.68 | 2.24 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | +2 | B. | +4 | C. | 0 | D. | +6 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 溶液中一定含有NH4+、C032- | |
B. | 溶液中離子濃度c(Na+)=c(S042一) | |
C. | 溶液中一定不含Mg2+、Al3+、Fe3+ | |
D. | 溶液可能是由Na2C03與(NH4)2S04組成的混合溶液 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 圖中AB段的氧化劑為K2Cr2O7 | |
B. | 圖中BC段發(fā)生的反應為2Fe3++2I-═2Fe2++I2 | |
C. | 開始加入的K2Cr2O7為0.25 mol | |
D. | 若將上述過程中的KI溶液換為K3[Fe(CN)6]溶液,則有藍色沉淀生成 |
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