Question

短周期元素A、B、C、D的原子序數(shù)依次遞增，它們的核電荷數(shù)之和為32，原子最外層電子數(shù)之和為10，A與C同主族，B與D同主族，A、C原子的最外層電子數(shù)之和等于B原子的次外層電子數(shù)．則下列敘述正確的是（　�。�

• A、D元素處于元素周期表中第3周期第Ⅳ族
• B、B與D形成的化合物中，每個(gè)原子的最外層電子均為8個(gè)電子
• C、B、D的最高價(jià)氧化物中，D的最高價(jià)氧化物熔沸點(diǎn)高的根本原因在于D的最高價(jià)氧化物相對分子質(zhì)量比B的最高價(jià)氧化物高
• D、A與D形成的化合物是一種穩(wěn)定性較差的非極性分子

Answer 1

考點(diǎn)：位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用

專題：

分析：短周期元素A、B、C、D的原子序數(shù)依次遞增，它們的最外層電子數(shù)之和為10，A與C同主族，B與D同主族，則A和B的最外層電子數(shù)之和為5，A、C原子的最外層電子數(shù)之和等于B原子的次外層電子數(shù)，如果B的次外層電子數(shù)為2，則A和C的最外層電子數(shù)都是1，為第IA族，A和B的最外層電子數(shù)之和為5，則B和D屬于第IVA族，C的原子序數(shù)大于B，所以C是Na元素，B是C元素，D是Si元素，它們的核電荷數(shù)之和為32，則A是H元素；如果B的次外層電子數(shù)為8，則A和C的最外層電子數(shù)都是4，為第IVA族元素，A是C元素，C是Si元素，A和B的最外層電子數(shù)之和為5，則B和D的最外層電子數(shù)是1，且這幾種元素都是短周期元素，所以沒有符合題意的第IA族元素，該假設(shè)不成立．所以A是H元素，B是C元素，C是Na元素，D是Si元素，據(jù)此答題；

解答： 解：短周期元素A、B、C、D的原子序數(shù)依次遞增，它們的最外層電子數(shù)之和為10，A與C同主族，B與D同主族，則A和B的最外層電子數(shù)之和為5，A、C原子的最外層電子數(shù)之和等于B原子的次外層電子數(shù)，如果B的次外層電子數(shù)為2，則A和C的最外層電子數(shù)都是1，為第IA族，A和B的最外層電子數(shù)之和為5，則B和D屬于第IVA族，C的原子序數(shù)大于B，所以C是Na元素，B是C元素，D是Si元素，它們的核電荷數(shù)之和為32，則A是H元素；如果B的次外層電子數(shù)為8，則A和C的最外層電子數(shù)都是4，為第IVA族元素，A是C元素，C是Si元素，A和B的最外層電子數(shù)之和為5，則B和D的最外層電子數(shù)是1，且這幾種元素都是短周期元素，所以沒有符合題意的第IA族元素，該假設(shè)不成立．所以A是H元素，B是C元素，C是Na元素，D是Si元素，
A．D為Si元素，硅原子核外有3個(gè)電子層，最外層有4個(gè)電子，所以硅元素位于元素周期表第三周期第IVA族，故A錯(cuò)誤；
B．B與D形成的化合物為SiC，結(jié)構(gòu)類似于金剛石，每個(gè)原子周圍都形成四對共用電子對，所以最外層電子均為8個(gè)電子，故B正確；
C．B、D的最高價(jià)氧化物分別是二氧化碳、二氧化硅，二氧化硅的熔點(diǎn)高是因?yàn)樗�是原子晶體，而二氧化碳為分子晶體，故C錯(cuò)誤；
D．A與D形成的化合物為硅烷，結(jié)構(gòu)類似于甲烷，是非極性分子，由于硅的非金屬性較弱，所以氫化物穩(wěn)定性較差，故D正確；
故選BD．

點(diǎn)評：本題考查利用原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系來推斷元素，利用元素周期律結(jié)合物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)來分析解答問題，推斷元素是解答本題的難點(diǎn)，應(yīng)學(xué)會(huì)利用假設(shè)和驗(yàn)證的方法來解答．