Question

1．C、Si、S和N元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子價(jià)電子排布式3s²3p²．
從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)镺＞C＞Si．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為sp³，微粒間存在的作用力是共價(jià)鍵．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似．MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是Mg²⁺半徑比Ca²⁺小，MgO晶格能大．
（4）SO₂、NO₂、H₂S同屬于V字型結(jié)構(gòu)（填“三角錐形”、“直線型”或“V字型”）．從微觀結(jié)構(gòu)角度分析，其中一種分子又與另二種分子有不同之處，該分子的化學(xué)式是H₂S．

Answer 1

分析 （1）Si元素14號(hào)元素，其3s、3p電子為其價(jià)電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫其價(jià)電子排布式；同一周期元素，元素的非金屬活潑性隨著原子序數(shù)的增大而增強(qiáng)，同一主族，元素的非金屬活潑性隨著原子序數(shù)的增大而減弱；
（2）晶體硅中一個(gè)硅原子周圍與4個(gè)硅原子相連，呈正四面體結(jié)構(gòu)，所以雜化方式是sp³；非金屬原子之間形成的化學(xué)鍵為共價(jià)鍵；
（3）氧化鎂與氧化鈣都屬于離子晶體，離子所帶電荷相同，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大，熔沸點(diǎn)越高；
（4）H₂S的分子結(jié)構(gòu)為V字型；H₂S有2對(duì)孤電子，和其他兩種不一樣．

解答 解：（1）Si元素14號(hào)元素，其3s、3p電子為其價(jià)電子，根據(jù)構(gòu)造原理知其價(jià)電子排布式為3s²3p²；同一周期元素，元素的非金屬活潑性隨著原子序數(shù)的增大而增強(qiáng)，同一主族，元素的非金屬活潑性隨著原子序數(shù)的增大而減弱，根據(jù)元素在周期表中的位置知，這三種元素的非金屬活潑性強(qiáng)弱順序是：O＞C＞Si；
故答案為：3s²3p²；O＞C＞Si；
（2）SiC中Si和C原子均形成四個(gè)單鍵，故其為sp³雜化；非金屬原子之間形成的化學(xué)鍵全部是共價(jià)鍵；
故答案為：sp³；共價(jià)鍵；
（3）氧化鎂與氧化鈣都屬于離子晶體，離子所帶電荷相同，Mg²⁺離子比Ca²⁺離子半徑小，MgO中離子鍵強(qiáng)，MgO比CaO的晶格能大，故MgO熔沸點(diǎn)高；
故答案為：Mg²⁺半徑比Ca²⁺小，MgO晶格能大；
（4）SO₂、NO₂、H₂S是分子晶體，分子結(jié)構(gòu)為V字型，但H₂S有2對(duì)孤電子，和其他兩種不一樣．
故答案為：V字型；H₂S．

點(diǎn)評(píng) 本題主要考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，涉及電子排布式的書寫、非金屬的大小比較、雜化軌道類型的判斷以及晶體熔點(diǎn)的比較，題目較為綜合，本題易錯(cuò)點(diǎn)為（4）題，注意形成π鍵的因素．