A. | 高純度的二氧化硅可用于制造計算機芯片和太陽能電池 | |
B. | 膠體和溶液可以通過濾紙進行分離 | |
C. | 霧是氣溶膠,在陽光下可觀察到丁達爾效應(yīng) | |
D. | 玻璃是氧化物,成分可表示為Na2O•CaO•6SiO2 |
分析 A、依據(jù)硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的性質(zhì)解答;
B、依據(jù)膠體、溶液中分散質(zhì)粒度小于濾紙孔徑;
C、膠體具有丁達爾效應(yīng);
D、玻璃屬于硅酸鹽,是混合物.
解答 解:A、硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間是良好的半導(dǎo)體材料,所以晶體硅可以用于制造計算機芯片和太陽能電池,而不是二氧化硅,故A錯誤;
B、膠體、溶液中分散質(zhì)粒度小于濾紙孔徑,二者都能透過濾紙,故B錯誤;
C、霧屬膠體中的氣溶膠,丁達爾現(xiàn)象是膠體具備的性質(zhì),故C正確;
D、玻璃屬于硅酸鹽,是混合物,而氧化物是純凈物,故D錯誤;
故選:C.
點評 本題考查了元素化合物知識,熟悉硅及其化合物性質(zhì)和用途是解題關(guān)鍵,題目難度不大,注意對基礎(chǔ)知識的積累.
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 常溫下反應(yīng)2M2++Z2═2M3++2Z-可以發(fā)生 | |
B. | Z元素在反應(yīng)①中被還原,在③中被氧化 | |
C. | 氧化性強弱順序為:XO4->Z2>R2>M3+ | |
D. | 還原性強弱順序為:X2+<Z-<R-<M2+ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 為防止試管破裂,加熱固體高錳酸鉀制氧氣時,試管口應(yīng)略向下傾斜 | |
B. | 進行SO2性質(zhì)探究實驗時,多余的SO2應(yīng)排到實驗室外 | |
C. | 為防止藥品污染,實驗結(jié)束后,用剩的白磷可溶解于CS2后倒入垃圾箱 | |
D. | 配制H2SO4溶液時,先在量筒中加一定體積的水,然后邊攪攔邊慢慢加入濃H2SO4 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 足量硫酸鋁與純堿反應(yīng):2Al3++3CO32-+3H2O═2Al(OH)3↓+3CO2↑ | |
B. | 硫酸銅與燒堿反應(yīng):CuSO4+2OH-═Cu(OH)2↓+SO42- | |
C. | 苯酚與碳酸鈉反應(yīng):2C6H5OH+CO32-═2C6H5O-+CO2↑+H2O | |
D. | 碳酸鋇與硫酸反應(yīng):Ba2++SO42-═BaSO4↓ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 碳酸鈉溶液 | B. | 濃硫酸 | C. | 飽和食鹽水 | D. | NaOH溶液 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 元素的簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性X<W | |
B. | 元素的最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性:W<Z | |
C. | 化合物YX、ZX2、WX3中化學(xué)鍵類型相同 | |
D. | 原子半徑的大小順序:Y>Z>W(wǎng)>X |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 在水溶液里或溶融狀態(tài)下全部電離的化合物 | |
B. | 在水溶液里或熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的化合物 | |
C. | 可溶性鹽類 | |
D. | 導(dǎo)電性很強的物質(zhì) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 還原產(chǎn)物為CH3COOH | |
B. | 氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為2:3 | |
C. | Cr2O72-和Cr3+分別屬于反應(yīng)物和生成物 | |
D. | 若把該反應(yīng)設(shè)計從成原電池,則負(fù)極反應(yīng)為CH3CH2OH-4e-+H2O=CH3COOH+4H+ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
容器 | 溫度/k | 物質(zhì)的起始濃度/mol•L-1 | CH3OH的平衡濃度/mol•L-1 | ||
c(H2) | c(CO) | c(CH3OH) | |||
Ⅰ | 400 | 0.20 | 0.10 | 0 | 0.080 |
Ⅱ | 400 | 0.40 | 0.20 | 0 | |
Ⅲ | 500 | 0 | 0 | 0.10 | 0.025 |
A. | 該反應(yīng)的正反應(yīng)吸熱 | |
B. | 達到平衡時,容器II中c(CH3OH)小于容器I中c(CH3OH)的兩倍 | |
C. | 達到平衡時,容器II中c(H2)大于容器III中c(H2)的兩倍 | |
D. | 達到平衡時,容器III中的正反應(yīng)速率比容器I中的大 |
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