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3．當線圈中的磁通量發(fā)生變化時，下列說法中不正確的是（　　）
A．線圈中一定有感應電流
B．線圈中有感應電動勢，其大小與磁通量成正比
C．線圈中有感應電動勢，其大小與磁通量的變化量成正比
D．線圈中一定有感應電動勢

分析 當穿過閉合回路的磁通量發(fā)生變化，在閉合回路中就會產生感應電流．線圈中的感應電動勢與磁通量的變化率成正比．

解答 解：A、當線圈中的磁通量發(fā)生變化時，若線圈是閉合的，則有感應電流，若不閉合，則無感應電流，有感應電動勢．故A錯誤，D正確．
    B、根據法拉第電磁感應定律，E=$N\frac{△Φ}{△t}$，知感應電動勢的大小與磁通量的變化率成正比．故B、C錯誤．
本題選擇不正確的，故選：ABC．

點評 解決本題的關鍵知道感應電流產生的條件，以及掌握法拉第電磁感應定律E=$N\frac{△Φ}{△t}$．

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中物理 來源： 題型：選擇題

13．甲、乙兩人發(fā)生口角，甲打了乙的胸口一拳致使乙受傷．法院判決甲應支付乙的醫(yī)藥費．甲狡辯說：我打了乙一拳，根據牛頓第三定律“作用力和反作用力相等”，乙對我也有相同大小的作用力，所以，乙并沒有吃虧．那么法官對這一事件判決的依據在哪里（　�。�
A．甲打乙的力大于乙對甲的作用力，判決甲付乙的醫(yī)藥費
B．甲打乙的力等于乙對甲的作用力，但甲的拳能承受的力大于乙的胸能承受的力，所以乙受傷而甲未受傷，且從主觀上說甲主動打乙，故判決甲支付乙的醫(yī)藥費
C．由于是甲用拳打乙的胸，所以甲對乙的力遠大于乙胸對甲拳的作用力，故判決甲付乙的醫(yī)藥費
D．甲對乙的力在先，乙對甲的力在后，所以判決甲給乙付醫(yī)藥費

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科目：高中物理 來源： 題型：選擇題

14．如圖所示，有導線ab長L1=0.25m，在磁感應強度為0.8T的勻強磁場中，以3m/s的速度做切割磁感線運動，導線垂直磁感線，運動方向跟磁感線及直導線均垂直．磁場的有界寬度L2=0.20m，則導線中的感應電動勢大小為（　　）
A．0.48VB．0.36VC．0.16VD．0.6V

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科目：高中物理 來源： 題型：選擇題

11．某行星沿橢圓軌道運行，遠日點離太陽的距離為a，近日點離太陽的距離為b，過遠日點時行星的速率為va，則過近日點時的速率為（　　）
A．vb=$\frac{a}$vaB．vb=$\sqrt{\frac{a}}$vaC．vb=$\frac{a}$vaD．vb=$\sqrt{\frac{a}}$va

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

18．如圖所示，勻強磁場磁感應強度為B，方向垂直紙面向里．長為L，電阻為R0的金屬棒cd在寬為L的導軌上向右滑行，速度為V．已知R1=R2=R0，其余電阻不計，則開關斷開和閉合時，M、N兩點電勢差下列說法正確的是（　　）
A．斷開時，UMN=0；閉合時UMN≠0B．斷開和閉合時，UMN≠0
C．斷開和閉合時MN電勢差之比為3：2D．斷開和閉合時MN電勢差之比為3：1

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科目：高中物理 來源： 題型：解答題

8．如圖甲所示，有一磁感應強度大小為B、垂直紙面向外的勻強磁場，磁場邊界OP與水平方向夾角為θ=45°，緊靠磁場右上邊界放置長為L、間距為d的平行金屬板M、N，磁場邊界上的O點與N板在同一水平面上，O1、O2為電場左右邊界中點．在兩板間存在如圖乙所示的交變電場（取豎直向下為正方向）．某時刻從O點豎直向上以不同初速度同時發(fā)射兩個相同的質量為m、電量為+q的粒子a和b．結果粒子a恰從O1點水平進入板間電場運動，由電場中的O2點射出；粒子b恰好從M板左端邊緣水平進入電場．不計粒子重力和粒子間相互作用，電場周期T未知．求：
（1）粒子a、b從磁場邊界射出時的速度va、vb；
（2）粒子a從O點進入磁場到O2點射出電場運動的總時間t；
（3）如果金屬板間交變電場的周期T=$\frac{4m}{qB}$，粒子b從圖乙中t=0時刻進入電場，要使粒子b能夠穿出板間電場時E0滿足的條件．

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科目：高中物理 來源： 題型：選擇題

15．如圖所示，有一固定的且內壁光滑的半球面，球心為O，最低點為C，在其內壁上有兩個質量均為m的小球（可視為質點）A和B，在兩個高度不同的水平面內做勻速圓周運動，A球的軌跡平面高于B球的軌跡平面，A、B兩球與O點的連線與豎直線OC間的夾角分別為α=53°和β=37°，以最低點C所在的水平面為重力勢能的參考平面，則（sin37°=0.6，cos37°=0.8）（　　）
A．A、B兩球所受彈力的大小之比為3：4B．A、B兩球運動的周期之比為4：3
C．A、B兩球的動能之比為16：9D．A、B兩球的重力勢能之比為2：1

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科目：高中物理 來源： 題型：解答題

13．如圖所示，xOy坐標系內有勻強磁場，磁感應強度為B，方向垂直紙面向里，x＜0區(qū)域內有勻強電場（圖中未畫出），y軸為電場右邊界．磁場中放置一半徑為R的圓柱形圓筒，圓心O1的坐標為（2R，0），圓筒軸線與磁場平行，現(xiàn)有范圍足夠大的平行電子束以速度v0從很遠處垂直于y軸沿x軸正方向做勻速直線運動射入磁場區(qū)，已知電子質量為m，電荷量為e，不考慮打到圓筒表面的電子對射入磁場的電子的影響．
求：（1）x＜0區(qū)域內的勻強電場的場強大小和方向；
（2）若圓筒外表面各處都沒有電子打到，則電子初速度應滿足什么條件？
（3）若電子初速度滿足v0=$\frac{3eBR}{m}$，則y軸上哪些范圍射入磁場的電子能打到圓筒上？圓筒表面有電子打到的區(qū)域和圓筒表面沒有電子打到的區(qū)域的面積之比是多少？

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