A. | $\frac{8kq}{9{R}^{2}}$ | B. | k$\frac{10q}{9{R}^{2}}$ | C. | k$\frac{Q+q}{{R}^{2}}$ | D. | k$\frac{9Q+q}{9{R}^{2}}$ |
分析 由題意可知,半徑為R均勻分布著電荷量為Q的電荷,在b點(diǎn)處有一電荷量為q的固定正點(diǎn)電荷,在a點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)為零,說明點(diǎn)電荷與圓盤在a點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小相等,方向相反.可得到圓盤在a點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小和方向.在e點(diǎn)處場(chǎng)強(qiáng)的大小由對(duì)稱性和電場(chǎng)的疊加原理求解.
解答 解:電荷量為q的點(diǎn)電荷在a處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度大小為 E=k$\frac{q}{{R}^{2}}$,方向向左.
已知a點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)為零,則點(diǎn)電荷q與圓盤在a點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)大小相等、方向相反,所以圓盤在a點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小等于E=k$\frac{q}{{R}^{2}}$,方向向右
根據(jù)對(duì)稱性可知圓盤在e點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)大小為E=k$\frac{q}{{R}^{2}}$,方向向左
點(diǎn)電荷q在e點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為 E′=k$\frac{q}{(3R)^{2}}$,方向向右,所以e點(diǎn)處場(chǎng)強(qiáng)的大小為 Ee=E-E′=$\frac{8kq}{9{R}^{2}}$,方向向左.
故選:A.
點(diǎn)評(píng) 考查點(diǎn)電荷與圓盤電荷在某處的電場(chǎng)強(qiáng)度疊加,緊扣電場(chǎng)強(qiáng)度的大小與方向關(guān)系,從而為解題奠定基礎(chǔ).
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電場(chǎng)中a點(diǎn)的電勢(shì)較高 | B. | 帶電粒子在a點(diǎn)的動(dòng)能較大 | ||
C. | 帶電粒子在a點(diǎn)的加速度較大 | D. | 帶電粒子在a點(diǎn)的電勢(shì)能較大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | O、B間的距離等于$\sqrt{\frac{kQq}{μmg}}$ | |
B. | 點(diǎn)電荷甲在B點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為$\frac{μmg}{q}$ | |
C. | 在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中,A、B間電勢(shì)差UAB=$\frac{m{v}^{2}-m{{v}_{0}}^{2}}{2q}$ | |
D. | 點(diǎn)電荷乙從A向O點(diǎn)靠近的過程中,其電勢(shì)能一直減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 1.5×104T | B. | 1.0×104 T | C. | 1.4×104 T | D. | 2.0×104 T |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{4\sqrt{3}}{3}$mg | B. | $\sqrt{3}$mg | C. | mg | D. | $\frac{\sqrt{3}}{2}$mg |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 此時(shí)的速度為$\sqrt{gh}$ | B. | 下落的距離為$\frac{1}{4}$h | C. | 此時(shí)的速度為$\sqrt{\frac{gh}{2}}$ | D. | 下落的距離為$\frac{1}{2}$h |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 線框的機(jī)械能守恒 | B. | 穿過線框的磁通量逐漸增大 | ||
C. | 線框有abcda方向的感應(yīng)電流 | D. | 穿過線框磁通量的變化率逐漸增大 |
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