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一小球作平拋運動,在下落過程中剛好能通過寬為L,高為H的長方形窗戶ABCD的對角A和C,所用時間為T,重力加速度為g。求①小球從拋出到經過窗戶的上邊緣所用的時間。②小球通過C點的速度大小。
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如圖所示為測量某種離子的荷質比的實驗裝置示意圖。讓中性氣體分子進入電離室A,在那里被電離成離子,這些離子從電離室的小孔飄出,從縫S1進入電壓為U的加速電場被加速,然后從縫S2垂直進入一圓形勻強磁場區(qū)域,最后電子束射到屏幕上的P點。圓形勻強磁場區(qū)域的磁感應強度為B,磁場方向垂直于圓面,磁場區(qū)域的中心為O,半徑為r。當不加磁場時,電子束將通過O點打倒屏幕的中心M點。圓形勻強磁場區(qū)域的中心O距熒光屏的距離OM為l,測得MP之間的距離為h,且恰好有。求該離子的荷質比q/m的表達式。
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如圖所示:寬度L=1m的足夠長的U形金屬框架水平放置,框架處在豎直向上的勻強磁場中,磁感應強度B=1T,框架導軌上放一根質量m=0.2kg、電阻R=1.0Ω的金屬棒ab,棒ab與導軌間的動摩擦因數(shù)μ=0.5,現(xiàn)用功率恒為6w的牽引力F使棒從靜止開始沿導軌運動(ab棒始終與導軌接觸良好且垂直),當棒的電阻R產生熱量Q=5.8J時獲得穩(wěn)定速度,此過程中,通過棒的電量q=2.8C(框架電阻不計,g取10m/s2)。問:
(1)ab棒達到的穩(wěn)定速度多大?
(2)ab棒從靜止到穩(wěn)定速度的時間多少?
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如圖甲是一種自由電子激光器的原理示意圖。經電場加速后的高速電子束,射入上下排列著許多磁鐵的管中。相鄰兩塊磁鐵的極性是相反的。電子在垂直于磁場的方向上擺動著前進,電子在擺動的過程中發(fā)射出光子。管子兩端的反射鏡(圖中未畫出)使光子來回反射,光子與自由電子發(fā)生相互作用,使光子能量不斷增大,從而產生激光輸出。
(1)若該激光器發(fā)射激光的功率為P = 6.63×10 9 W,激光的頻率為υ = 1.0×1016 Hz。則該激光器每秒發(fā)出多少個激光光子?(普朗克常量= 6.63×10-34 J·s)
(2)若加速電壓U =1.8×10 4 V,取電子質量= 9×10-31 kg,電子電荷量e =1.6×10-19C。每對磁極間的磁場可看作勻強磁場,磁感應強度為B = 9×10-4 T。每個磁極的左右寬度為L=30 cm,厚度為2 L 。忽略左右磁極間的縫隙距離,認為電子在磁場中運動的速度大小不變。電子經電場加速后,從上下磁極間縫隙的正中間垂直于磁場方向射入第1對磁極的磁場中,電子一共可通過幾對磁極?在圖乙的俯視圖中,畫出電子在磁場中運動軌跡的示意圖(尺寸比圖甲略有放大)。
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圖1、圖2分別表示兩種電壓的波形,其中圖1所示電壓按正弦規(guī)律變化。下列說法正確的是
A.圖1表示交流電,圖2表示直流電
B.兩種電壓的有效值相等
C.圖1所示電壓的瞬時值表達式為u=311sin100 V
D.圖1所示電壓經匝數(shù)比為10:1的變壓器變壓后,頻率變?yōu)樵瓉淼?img border=0 width=21 height=41 src="http://thumb.zyjl.cn/pic1/1899/wl/9/64009.gif">
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如圖所示,質量m=1kg的滑塊(可看成質點),被壓縮的彈簧彈出后在光滑的水平桌面上滑行一段距離后,落在水平地面上。落點到桌邊的水平距離S=0.4m,桌面距地面的高度h=0.8m。求:(g=10m/s2,空氣阻力不計)
(1)滑塊落地時速度的大。
(2)彈簧釋放的彈性勢能。
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()2邊長為l、粗細均勻的N匝正方形線圈abcd,總質量為m,以水平方向的一邊ab為軸可自由轉動,線框處在方向豎直向上的勻強磁場中,如圖所示,當線框中通入電流I時,線框轉至其平面與豎直方向成q角時達到平衡,則磁感應強度B的大小為_________。若可以改變磁場的方向,但通入線框的電流大小、方向不變,仍然要使該線框平衡在圖示位置,則所加勻強磁場的磁感應強度B的最小值為__________。
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如圖所示,電子源每秒鐘發(fā)射2.50×1013個電子,以v0=8.00×106m/s的速度穿過P板上的A孔,從M、N兩平行板正中央進入兩板間,速度方向平行于板M且垂直于兩板間的勻強磁場,板M、N兩板間電壓始終為UMN=80.O V,兩板距離為d=1.00×10-3m,電子在板M、N間做勻速直線運動后進入由C、D兩平行板組成的已充電的電容器中,電容器電容為8.00×10-8F,電子打到D板后就留在D板中,在時刻tl=0,D板電勢較C板高818V,在時刻t2=T,開始有電子打到M板上,已知電子質量m=9.10×10-31kg,電量e=1.60×10-19C,電子從A孔到D板的運動時間不計,C、P兩板均接地,電子間不會發(fā)生碰撞。求:
(1)M、N間勻強磁場的磁感應強度大小。
(2)時間T及打到M板上的每個電子的動能(以eV為單位)。
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(1) 如右圖所示,螺旋測微器的讀數(shù)應為 mm.
(2)光敏電阻是用半導體材料制成的.如圖所示,
將一個光敏電阻與多用電表聯(lián)成電路。
若此時選擇開關放在歐姆擋,使照射在光敏
電阻上的光強逐漸增大,則歐姆表指針的偏轉角度
(填“變大”、“變小”或“不變”).
若將選擇開關放在電壓擋,待指針穩(wěn)定后同樣增大照射光強度,
則指針偏轉角度 (填“變大”、“變小”或“不變”).
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