與ab.cd接觸良好.回路的電阻為R.整個裝置放于垂直框架平面的變化的磁場中.磁感應強度B的變化情況如圖乙所示.PQ始終靜止.則在內(nèi)(t=0時刻.安培力大于mgsin).對PQ中電流I及受到的摩擦力F的分析正確的是 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示．電阻為R，其他電阻均可忽略，ef是一電阻可不計質(zhì)最為m的水平放置的導體棒，棒的兩端分別與豎直放置的ab、cd框保持良好接觸，又能沿框架無摩擦下滑，整個裝置放在與框架垂直的勻強磁場中，當導體棒ef從靜止下滑一段時間后閉合開關S，則S閉合后（　�。�
A．導體棒ef的加速度一定大于g
B．導體棒ef的加速度一定小于g
C．導體棒ef最終速度跟S閉合的時刻無關
D．導體棒ef的機械能與回路內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)能之和一定守恒

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如圖，導體框平面與水平面成θ角，質(zhì)量為的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的總電阻為R，整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中，磁感應強度的變化如圖（乙），PQ始終靜止，則在0—tos內(nèi)，PQ受到的摩擦力的變化情況可能是（　 ）]

　�、�一直增大

　 ②一直減小

　 ③先減小后增大

　 ④先增大后減小

A．①②　　 B．①④　 C．②③　 D．③④　

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圖甲中bacd為導體作成的框架，其平面與水平面成θ角，質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中，磁感應強度的變化如圖乙，PQ始終靜止，在0－ts內(nèi)，PQ受到的摩擦力的變化情況可能是：

A．f一直增大

B．f一直減小

C．f先減小后增大

D．f先增大后減小

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如圖甲中abcd為導體做成的框架，其平面與水平面成θ角，質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個裝置放于垂直框架平面的變化的磁場中，磁感強度B隨時間變化規(guī)律如圖乙，PQ始終靜止，在時間0～t內(nèi)，PQ受到的摩擦力f的大小變化可能是（　�。�

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圖甲中bacd為導體做成的框架，其平面與水平面成θ角，質(zhì)量為m，的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場中，磁感應強度隨時間的變化如圖乙，導體棒PQ始終靜止，在0～t1時間內(nèi)（　�。�
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