[化學(xué)-選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
砷（As）在地殼中含量不大，但砷的化合物卻是豐富多彩．
（1）砷的基態(tài)原子的電子排布式為．
（2）目前市售的發(fā)光二極管，其材質(zhì)以砷化鎵（GaAs）為主．Ga和As相比，電負(fù)性較大的 是，GaAs中Ga的化合價(jià)為
（3）AsH₃是無色稍有大蒜氣味的氣體，在AsH₃中As原子的雜化軌道類型為；AsH₃的沸點(diǎn)高于PH₃，其主要原因?yàn)?!--BA-->
（4）Na₃As0₄可作殺蟲劑．As0₄^3-的立體構(gòu)型為與其互為等電子體的分子的化學(xué)式為（任寫一種）．
（5）H₃As0₄和H₃As0₃是砷的兩種含氧酸，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，解釋H₃AsO₄比 H₃AsO₃ 酸性強(qiáng)的原因
（6）磷與砷同主族，磷的一種單質(zhì)白磷（P₄）屬于分子晶體，其晶胞如圖．已知最近的兩個(gè)白磷分子間距離為 a pm，阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則該晶體的密度為g/cm³（只要求列算式，不必計(jì)算）

請(qǐng)回答下列問題：

（1）S單質(zhì)的常見形式為S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是．
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量．Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序?yàn)?!--BA-->；O與F電負(fù)性大到小的順序?yàn)?!--BA-->．（用＜或=或＞表示）
（3）34號(hào)元素的價(jià)層電子的電子排布圖為，在周期表位于區(qū)；Mn²⁺基態(tài)的電子排布式為．
（4）氣態(tài)SO₂分子的立體構(gòu)型為；SO₃^2-離子的立體構(gòu)型為（均用文字描述）
（5）H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7×10^-3和2.5×10^-8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，K₂為1.2×10^-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋；
①H₂SeO₄和H₂SeO₃第一步電離程度大于第二部電離的原因：；
②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：；
（6）向CuSO₄溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu（OH）₄]^2-．不考慮空間構(gòu)型，[Cu（OH）₄]^2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為．
（7）Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，該氯化物的化學(xué)式是．

ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請(qǐng)回答下列問題：

（1）S單質(zhì)的常見形式是S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->；
（3）Se的原子序數(shù)為，其核外M層電子的排布式為；
（4）H₂Se的酸性比 H₂S（填“強(qiáng)”或“弱”）．氣態(tài)SeO₃分子的立體構(gòu)型為，

SO

2- 3

離子的立體構(gòu)型為；
（5）H₂SeO₃ 的K₁和K₂分別是2.7×10^-3和2.5×10^-8，H₂SeO₄的第一步幾乎完全電離，K₂是1.2×10^-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H₂SeO₃和H₂SeO₄的第一步電離程度大于第二步電離的原因：；
②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：．
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛．立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，其晶胞邊長為540.0pm，密度為g?cm^-3（列式并計(jì)算），a位置S^2-離子與b位置Zn²⁺離子之間的距離為pm（列式表示）