分析 微生物的營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)主要包括碳源、氮源、水和無(wú)機(jī)鹽等.常用滅菌方法有高壓蒸汽滅菌、灼燒滅菌等.篩選與分離微生物需要使用選擇培養(yǎng)基.稀釋涂布平板法可以用來(lái)進(jìn)行微生物的接種與計(jì)數(shù).菌種的保藏方法主要有固體斜面保藏法和甘油管藏法.
解答 解:(1)微生物培養(yǎng)基的成分有水、無(wú)機(jī)鹽、碳源、氮源等.實(shí)驗(yàn)室常用滅菌方法有高壓蒸汽滅菌、灼燒滅菌等,培養(yǎng)基滅菌用高壓蒸汽滅菌,接種環(huán)等金屬用具用灼燒滅菌.
(2)在微生物學(xué)中,將允許特定種類的微生物生長(zhǎng),同時(shí)抑制或阻止其他種類微生物生長(zhǎng)的培養(yǎng)基稱為選擇培養(yǎng)基.由題意可知,有些微生物不能在含鈾的環(huán)境中生存,可以在培養(yǎng)基中加入含鈾化合物進(jìn)行篩選.細(xì)菌計(jì)數(shù)可以用稀釋涂布平板法接種后統(tǒng)計(jì)菌落數(shù),再計(jì)算細(xì)菌數(shù).
(3)三個(gè)平板平均每個(gè)有(240+250+260)÷3=250個(gè)菌落,則稀釋前1ml菌液中所含細(xì)菌為250×10×106=2.5×109(個(gè)).
(4)菌種臨時(shí)保存可以用斜面固體培養(yǎng)基,放入溫度為4℃冰箱中.
故答案為:
(1)碳源、氮源 高壓蒸氣滅菌
(2)可溶性鈾(含鈾化合物) 選擇培養(yǎng)基 稀釋涂布平板法
(3)2.5×109
(4)(試管的)固體斜面培養(yǎng)基(或答斜面固體培養(yǎng)基) 4℃
點(diǎn)評(píng) 本題主要考查微生物的營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)、微生物的篩選與計(jì)數(shù)和菌種的保藏方法,關(guān)鍵是要求學(xué)生對(duì)所學(xué)知識(shí)的識(shí)記、理解與掌握.
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 尿中鹽增多,糖無(wú)增多 | B. | 抗利尿激素釋放增加 | ||
C. | 糖大量進(jìn)入細(xì)胞并被利用 | D. | 腎上腺素分泌增多 |
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 人體成熟的紅細(xì)胞中核孔數(shù)目很少,因此紅細(xì)胞代謝較弱 | |
B. | tRNA在細(xì)胞核內(nèi)合成,運(yùn)出細(xì)胞核發(fā)揮作用與核孔復(fù)合物無(wú)關(guān) | |
C. | 核孔運(yùn)輸障礙發(fā)生的根本原因可能是編碼核孔復(fù)合物的基因發(fā)生突變所致 | |
D. | 核膜由兩層磷脂分子組成,房顫的成因與核膜內(nèi)外的信息交流異常有關(guān) |
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 真核細(xì)胞中有維持細(xì)胞形態(tài)的細(xì)胞骨架,細(xì)胞骨架與物質(zhì)運(yùn)輸無(wú)關(guān) | |
B. | 磷脂雙分子層構(gòu)成了細(xì)胞膜的基本支架,其他生物膜無(wú)此基本支架 | |
C. | DNA分子中的脫氧核糖和磷酸交替連接,排列在外側(cè)構(gòu)成基本骨架 | |
D. | 生物大分子以單體為骨架,每一個(gè)單體都以碳原子構(gòu)成的碳鏈為基本骨架 |
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | PCR技術(shù)建立在對(duì)擴(kuò)增的目的基因序列完全已知的基礎(chǔ)上 | |
B. | 該技術(shù)需要解旋酶和熱穩(wěn)定的DNA聚合酶 | |
C. | 該技術(shù)需要一對(duì)特異性的引物,要求一對(duì)引物的序列也是互補(bǔ)的 | |
D. | 該技術(shù)應(yīng)用體內(nèi)DNA雙鏈復(fù)制原理,也需要模板、原料、酶等條件 |
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科目:高中生物 來(lái)源:2015-2016學(xué)年四川成都第七中學(xué)高二12月月考生物試卷(解析版) 題型:選擇題
下圖一為突觸結(jié)構(gòu)模式圖,圖二是一個(gè)反射弧的部分結(jié)構(gòu)圖 ,甲、乙表示連接在神經(jīng)纖維上的電流表。以下說(shuō)法不正確的是
A.在圖一a中發(fā)生電信號(hào)→化學(xué)信號(hào)的轉(zhuǎn)變,信息傳遞需要能量
B.①中內(nèi)容物使b興奮時(shí),興奮處膜電位表現(xiàn)為外負(fù)內(nèi)正
C.圖二中當(dāng)在A點(diǎn)以一定的電流刺激時(shí),甲、乙電流表指針都發(fā)生兩次方向相反的偏轉(zhuǎn)
D.圖二中表示的的突觸類型為軸突→細(xì)胞體突觸
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