Question

Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增．已知：
①Z的原子序數(shù)為29，其余的均為短周期主族元素；
②Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布msⁿmpⁿ；
③R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；
④Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4．
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）Z²⁺的核外電子排布式是

 

．該元素在周期表中的位置是

 

族．
（2）Q與Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙，下列判斷正確的是

 

．（填寫(xiě)序號(hào)）
a．穩(wěn)定性：甲＞乙，沸點(diǎn)：甲＜乙              b．穩(wěn)定性：甲＞乙，沸點(diǎn)：甲＞乙
c．穩(wěn)定性：甲＜乙，沸點(diǎn)：甲＜乙              d．穩(wěn)定性：甲＜乙，沸點(diǎn)：甲＞乙
（3）Q的一種氫化物相對(duì)分子質(zhì)量為26，其中分子中的σ鍵與π鍵的鍵數(shù)之比為

 

．
（4）五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于

 

；1mol該晶體中含有

 

 mol的化學(xué)鍵．

Answer 1

考點(diǎn)：位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增．Z的原子序數(shù)為29，則Z為Cu，其余的均為短周期主族元素，Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布msⁿmpⁿ，由于s能級(jí)只能容納2個(gè)電子，故n=2，Y處于ⅣA族；R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)，L層未排滿電子，則R處于第二周期；Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4，Q的原子序數(shù)小于R，則Q位于第二周期，其核外電子排布為1s²2s²sp²，故Q為C元素，由于Y處于ⅣA族，結(jié)合Q可知，Y為第三周期Si元素，則X位于第二周期，其核外電子排布為1s²2s²sp⁴，為O元素，結(jié)合原子序數(shù)可知，R為N元素，據(jù)此解答．

解答： 解：Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增．Z的原子序數(shù)為29，則Z為Cu，其余的均為短周期主族元素，Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布msⁿmpⁿ，由于s能級(jí)只能容納2個(gè)電子，故n=2，Y處于ⅣA族；R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)，L層未排滿電子，則R處于第二周期；Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4，Q的原子序數(shù)小于R，則Q位于第二周期，其核外電子排布為1s²2s²sp²，故Q為C元素，由于Y處于ⅣA族，結(jié)合Q可知，Y為第三周期Si元素，則X位于第二周期，其核外電子排布為1s²2s²sp⁴，為O元素，結(jié)合原子序數(shù)可知，R為N元素，
（1）Cu²⁺的核外電子排布式是1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹，該元素在周期表中第四周期IB族，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹；
（2）Q、Y的氫化物分別為CH₄和SiH₄，由于C的非金屬性強(qiáng)于Si，則穩(wěn)定性CH₄＞SiH₄．因?yàn)镾iH₄ 的相對(duì)分子質(zhì)量比CH₄大，故SiH₄分子間作用力大，SiH₄沸點(diǎn)高，
故選：a；
（3）Q為C元素，C、H形成的相對(duì)分子質(zhì)量為26的物質(zhì)為C₂H₂，結(jié)構(gòu)式為H-C≡C-H，單鍵是σ鍵，叁鍵中有兩個(gè)是σ鍵一個(gè)π鍵，所以σ鍵與π鍵數(shù)之比為3：2，
故答案為：3：2；
（4）五種元素中，電負(fù)性最大的非金屬性元素為O元素，電負(fù)性最小的非金屬性元素為Si，二者形成的物質(zhì)為SiO₂，屬于原子晶體，晶體中每個(gè)Si原子與周圍4個(gè)O原子形成4個(gè)Si-O鍵，1mol該晶體中含有 4 molSi-O鍵，
故答案為：原子晶體；4．

點(diǎn)評(píng)：本題以元素推斷為載體，考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及核外電子排布、分子性質(zhì)、化學(xué)鍵、晶體結(jié)構(gòu)等，是對(duì)所學(xué)知識(shí)的綜合運(yùn)用，難度中等，根據(jù)原子結(jié)構(gòu)推斷元素是解題關(guān)鍵，（4）中化學(xué)鍵計(jì)算為易錯(cuò)點(diǎn)，注意根據(jù)二氧化硅的晶體結(jié)構(gòu)解答．